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隧穿场效应晶体管的研究进展 期刊论文
微纳电子技术, 2018
作者:  陶桂龙;  许高博;  殷华湘;  徐秋霞
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/20
隧穿场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201310315051.9, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2015-02-11
作者:  朱正勇;  朱慧珑;  许淼
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/03/14
TFET 单端SRAM单元研究 学位论文
2018
作者:  HUSSAIN SAJJAD
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26
隧穿场效应晶体管结构优化及非易失性SRAM性能研究 学位论文
2018
作者:  张文豪
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26
基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计 期刊论文
微纳电子技术, 2018, 期号: 08
作者:  刘安琪;  吕亚威;  常胜;  黄启俊;  王豪
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05
锗锡/锗硅锡隧穿场效应晶体管的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
王素元
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/06/02
隧穿场效应晶体管模型研究 学位论文
2016
作者:  孟庆之
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/26
无漏结隧穿场效应晶体管性能研究 学位论文
2016
作者:  骆东旭
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
基于光活性双层杂化介电层的非易失性存储器 其他
2016-01-01
李明亮; 陈洪亮; 郭雪峰
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
基于环栅纳米线隧穿场效应晶体管的解析模型 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
何媛; 王骏成; 魏康亮; 刘晓彦
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12

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