| 基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计 | |
| 刘安琪; 吕亚威; 常胜; 黄启俊; 王豪; 何进 | |
| 刊名 | 微纳电子技术
 |
| 2018 | |
| 期号 | 08 |
| 关键词 | 隧穿场效应晶体管(TFET) 准一维材料 石墨烯纳米带(GNR) 隧穿机理 开关电流比(Ion/Ioff) |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| DOI | 10.13250/j.cnki.wndz.2018.08.001 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4138656 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘安琪,吕亚威,常胜,等. 基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计[J]. 微纳电子技术,2018(08). |
| APA | 刘安琪,吕亚威,常胜,黄启俊,王豪,&何进.(2018).基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计.微纳电子技术(08). |
| MLA | 刘安琪,et al."基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计".微纳电子技术 .08(2018). |
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