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| 单层分子膜黏附的能量与动力学 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2022
作者: 常正华
  收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2022/09/23
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2021/06/18 |
| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 陈思远
收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2020/11/19
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| 金薄膜衬底上介质-金属核壳结构的光学力调控 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 18, 页码: 244-250
作者: 张佳晨; 鱼卫星; 肖发俊; 赵建林
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/11/02
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| 一种半导体激光器结构及其制备方法 专利
专利号: CN110224300A, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
作者: 任夫洋; 苏建
收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利号: CN110224299A, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
作者: 赵勇明; 杨国文 ; 张艳春; 赵卫东
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110212408A, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
作者: 赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利号: CN110212409A, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
作者: 赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN108736316B, 申请日期: 2019-09-03, 公开日期: 2019-09-03
作者: 王璐; 王珈; 吴德馨
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种低氧化应力的VCSEL芯片 专利
专利号: CN209329394U, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2019/12/24 |
