基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 | |
赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东 | |
2019-09-06 | |
著作权人 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
专利号 | CN110212409A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 |
英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体公开一种基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法,其中,方法包括:GaAs衬底;依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层;其中,所述衬底的晶格常数位于至少一层所述第一折射率层的晶格常数与所述第二折射率层的晶格常数之间;所述第一折射率层的材料包括AlxIn1‑xP。本发明通过调整折射率层的组分使得衬底的晶格常数位于第一折射率层与第二折射率层的晶格常数之间,使得生长在衬底上的第一折射率层以及第二折射率层的所受应变不同,通过应变补偿的方式消除因晶格失配产生的应力,实现无应变分布布拉格反射镜的生长,避免外延片出现晶片翘曲的问题。 |
公开日期 | 2019-09-06 |
申请日期 | 2019-05-31 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55511] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明,杨国文,张艳春,等. 基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法. CN110212409A. 2019-09-06. |
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