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| 基于SOI结构的热不敏感激光器 专利 专利号: CN108075356A, 申请日期: 2018-05-25, 公开日期: 2018-05-25 作者: 李伟龙; 张永干; 孙雨舟
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| 基于SOI结构的热不敏感激光器 专利 专利号: CN108075355A, 申请日期: 2018-05-25, 公开日期: 2018-05-25 作者: 李伟龙; 张永干; 孙雨舟
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| 半导体激光器及其形成方法、形成激光介质的方法 专利 专利号: CN102437510B, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25 作者: 唐文涛
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| 半导体激光器及其形成方法、形成激光介质的方法 专利 专利号: CN102437510B, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25 作者: 唐文涛
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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利 专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07 作者: 赵超 ; 罗军 ; 陈大鹏 ; 叶甜春![](/image/person.jpg)
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| 一种硅基激光器及其制备方法 专利 专利号: CN102340097B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29 作者: 李艳平; 冉广照; 洪涛; 陈娓兮; 秦国刚
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| 一种维持电压可调节的可控硅结构 专利 专利号: CN201110332265.8, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2012-01-25 作者: 曾传滨 ; 李多力 ; 毕津顺 ; 韩郑生 ; 罗家俊![](/image/person.jpg)
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| 纳米生物传感器的设计、加工与集成研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者: 苏瑞巩![](/image/person.jpg)
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| SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展 期刊论文 微电子学, 2011, 卷号: 41, 页码: 461-464,478 作者: 苏步春; 张海鹏; 王德君
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| 高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化 期刊论文 2010, 2010 李德斌; 梁仁荣; 刘道广; 许军; LI De-bin; LIANG Ren-rong; LIU Dao-guang; XU Jun
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