一种硅基激光器及其制备方法 | |
李艳平; 冉广照; 洪涛; 陈娓兮; 秦国刚 | |
2013-05-29 | |
著作权人 | 北京大学 |
专利号 | CN102340097B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种硅基激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种硅基激光器及其制备方法,属于硅基光电子器件领域。本发明的激光器包括刻蚀有波导结构的SOI,化合物半导体激光器结构;所述激光器结构的键合面上依次设有周期分布的条形SiO2结构,相互导通的透明导电层;所述激光器结构通过透明导电层与SOI键合。本方法为:1)在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区;2)制备化合物半导体激光器结构;3)在所述激光器结构键合面上制备条形绝缘层;然后溅射透明导电氧化物薄膜;4)通过透明导电层将上述激光器结构键合在SOI硅片上。本发明降低了硅基激光器的工艺难度,缩短了制备周期,提高了器件效率和成品率。 |
公开日期 | 2013-05-29 |
申请日期 | 2011-09-19 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45267] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 北京大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳平,冉广照,洪涛,等. 一种硅基激光器及其制备方法. CN102340097B. 2013-05-29. |
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