| 一种硅基激光器及其制备方法 | |
| 李艳平; 冉广照; 洪涛; 陈娓兮; 秦国刚 | |
| 2013-05-29 | |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 专利号 | CN102340097B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种硅基激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种硅基激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本发明的激光器包括刻蚀有波导结构的SOI，化合物半导体激光器结构；所述激光器结构的键合面上依次设有周期分布的条形SiO2结构，相互导通的透明导电层；所述激光器结构通过透明导电层与SOI键合。本方法为：1)在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区；2)制备化合物半导体激光器结构；3)在所述激光器结构键合面上制备条形绝缘层；然后溅射透明导电氧化物薄膜；4)通过透明导电层将上述激光器结构键合在SOI硅片上。本发明降低了硅基激光器的工艺难度，缩短了制备周期，提高了器件效率和成品率。 |
| 公开日期 | 2013-05-29 |
| 申请日期 | 2011-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45267]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳平,冉广照,洪涛,等. 一种硅基激光器及其制备方法. CN102340097B. 2013-05-29. |
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