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| 超薄绝缘体上锗(GOI)材料制备及其性质研究 学位论文 2011, 2011 胡美娇
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| 循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究 期刊论文 2011 胡美娇; 李成; 徐剑芳; 赖虹凯; 陈松岩
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| 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101866874A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 张苗; 薛忠营; 张波; 魏星
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:115/0  |  提交时间:2012/01/06 |
| 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101866875A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 张苗; 薛忠营; 张波; 魏星
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2012/01/06 |
| 低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2010 马小波
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2012/03/06
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| SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006 狄增峰
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2012/03/06
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| SGOI材料的SIMOX制备技术研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2005 陈志君
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/03/06
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| 硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 76-80 作者: 刘超![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:129/23  |  提交时间:2010/11/23 |