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题名	超薄绝缘体上锗(GOI)材料制备及其性质研究; Fabrication of ultra-thin germanium on insulator（GOI）material and its properties
作者	胡美娇
答辩日期	2011 ; 2011
导师	李成
关键词	锗浓缩 氧化 退火 GOI 肖特基源漏结MOSFETs Ge condensation Oxidation Annealing GOI Schottky source/drain junction MOSFETs
英文摘要	摘要 GOI(Germanium-on-Insulator，GOI)材料兼具Ge材料和SOI材料的双重优点，成为极具应用前景的新型衬底材料。采用高质量的GOI材料作为衬底材料制作MOSFETs器件，可以显著提高器件中沟道电子和空穴的迁移率，降低寄生电容，从而提高器件的性能。因此，制备表面平整、晶格结构完整的GOI材料具有重要意义。 本文采用锗浓缩技术对在UHVCVD系统中外延生长得到的SOI基SiGe材料进行氧化、退火，制备出不同Ge组分的绝缘体上锗硅（SGOI）材料，并对其结构、表面形貌、光学特性等进行表征；利用制得的SOI、GOI材料探索了SOI、GOI肖特基源/漏结MOSFETs...; Abstract Germanium-on-insulator (GOI), with merits of germanium and SOI materials, has become a novel promising substrate material. The performance of device can be enhanced by using high quality GOI material as the substrate because it offers significantly high electron and hole mobilities in the channel and low parasitic capacitance. Therefore, it is of great significance to fabricate GOI mat...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学; 学号：19820081153030
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=31424
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55023]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	胡美娇. 超薄绝缘体上锗(GOI)材料制备及其性质研究, Fabrication of ultra-thin germanium on insulator（GOI）material and its properties[D]. 2011, 2011.

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