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基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:  刘丽
收藏  |  浏览/下载：214/0  |  提交时间：2015/09/02
一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 专利
专利号: CN201010531161.5, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2012-05-23
作者:  罗家俊;  韩郑生;  刘刚;  赵发展;  刘梦新
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/09/29
0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
罗杰馨
收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2013/04/24
一种绝缘体上硅器件及其制备方法 专利
专利号: CN200910305117.X, 申请日期: 2011-04-06, 公开日期: 2010-01-06
作者:  毕津顺;  海潮和;  韩郑生;  罗家俊
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/04/08
PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1
作者:  毕津顺;  海潮和
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/27
SOI LDMOSFET的背栅特性 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2148-2152
作者:  毕津顺;  宋李梅;  海潮和;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27
新型部分耗尽SOI器件体接触结构 期刊论文
半导体技术, 2008, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 4，968-971
作者:  宋文斌;  毕津顺;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/27
一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法 专利
专利号: CN101231956, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2008-07-30, 2010-11-26
作者:  王立新
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26
绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究 期刊论文
电子器件, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 4,5_8
作者:  海潮和;  毕津顺;  吴峻峰;  李瑞贞
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26
PDSOI体源连接环形栅nMOS特 性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,12_15
作者:  海潮和;  毕津顺
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26

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