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| 宽禁带半导体物理 期刊论文 科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88 作者: 申德振 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2022/06/29 |
| 宽禁带半导体物理 期刊论文 科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88 作者: 申德振 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2022/06/13 |
| 砷化镓激光巴条 专利 专利号: CN207588214U, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2018-07-06 作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 砷化镓激光巴条及其制备方法 专利 专利号: CN107732650A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23 作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种硅基微腔激光器的制作方法 专利 专利号: CN103579902B, 申请日期: 2016-07-13, 公开日期: 2016-07-13 作者: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2014 - 收藏  |  浏览/下载:300/0  |  提交时间:2016/11/06
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| 一种纳米线衬底结构及其制备方法 专利 申请日期: 2013-12-10, 作者: 王盛凯; 孙兵; 刘洪刚; 赵威; 常虎东 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2017/05/27 |
| 信息化时代与硅器时代——2013年五月份科普论坛报告会 科普文章 2013 作者: 中国科学院老科协工程力学分会 收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2013/05/30 |
| 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 专利 专利号: CN102570305B, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17 作者: 周旭亮; 于红艳; 潘教青; 赵玲娟; 王圩 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 低能电子束非电离能损(NIEL)的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 于新 收藏  |  浏览/下载:83/0  |  提交时间:2016/05/10
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