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	一种硅基微腔激光器的制作方法
	周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
	2016-07-13
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN103579902B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	一种硅基微腔激光器的制作方法
英文摘要	本发明公开了一种硅基微腔激光器的制作方法，包括以下步骤:在硅衬底正面，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层;将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;将高温砷化镓层表面抛光后外延激光器结构;在激光器结构上干法刻蚀形成微腔和输出波导;在形成微腔和输出波导后沉积二氧化硅层，在微腔上方开出电极窗口;在二氧化硅层和电极窗口上表面制作正电极，并做电极隔离;在硅衬底背面制作背电极，完成器件的制作。本发明提出的上述方法利用超高真空化学气相外延与MOCVD结合实现高质量的III‑V族层，抛光和清洗实现清洁平整表面;干法刻蚀与湿法腐蚀实现光滑的微腔侧壁，减少激光器损耗。
公开日期	2016-07-13
申请日期	2013-10-25
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47935]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周旭亮,于红艳,李梦珂,等. 一种硅基微腔激光器的制作方法. CN103579902B. 2016-07-13.

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