已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 胡玉莹 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2021/11/26 |
| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 周媛 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2021/06/18 |
| III-V族半导体材料自旋量子比特研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 郝宏玥 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2021/05/21 |
| 稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 雷琪琪 收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2020/11/19
|
| III-V族窄禁带半导体自旋电子学器件的材料与物理研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 童树成 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/09/22 |
| 硅基III-V族多量子阱激光器的研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 李亚节 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/08/05 |
| 多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法 专利 专利号: CN110289553A, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 作者: 郑婉华; 孟然哲; 王海玲; 王明金 收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种表面活性剂辅助气相生长小直径、高性能III-V族半导体纳米线的方法 专利 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02 作者: 杨再兴; 孙嘉敏; 高兆峰 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/04 |
| 面向光子集成应用的有源半导体器件的设计和研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者: 邱橙 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/08/24
|
| 单根氧化锌微米线基异质结发光二极管研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者: 刘洋 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/08/24
|