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| 一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法 专利
专利号: CN105742391A, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2016-07-06
作者: 叶继春; 曾俞衡; 高平奇; 韩灿; 廖明墩
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| 二维脉冲调制射频SiH4/N2/O2放电的数值模拟研究 学位论文
: 大连理工大学, 2013
作者: 贾文柱
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/13
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| 用于MEMS开关的低应力氮氧化硅桥膜 期刊论文
2010, 2010
胡光伟; 刘泽文; 张忠惠; 侯智昊; 李志坚; HU Guang-wei; LIU Ze-wen; ZHANG Zhong-hui; HOU Zhi-hao; LI Zhi-jian
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| a-SiN_xO_y∶Er~(3+)薄膜的光致发光 期刊论文
半导体学报, 2003, 期号: 04, 页码: 381-386
邓文渊; 张家骅; 马少杰; 孔祥贵; 宋宏伟; 许武
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| 自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术 期刊论文
半导体学报, 1996, 期号: 04
邵凯; 李炳宗; 邹斯洵; 黄维宁; 吴卫军; 房华; 於伟峰; 姜国宝; 俞波; 张敏
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用 期刊论文
半导体学报, 1992, 期号: 06
曾天亮; 陈平; 江志庚; 李志彭
收藏 | 浏览/下载：57/0 | 提交时间：2012/03/29 |
