PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用

	PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用
	曾天亮 ; 陈平 ; 江志庚 ; 李志彭
刊名	半导体学报
	1992
期号	06
ISSN号	0253-4177
中文摘要	我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3％)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104184]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	曾天亮,陈平,江志庚,等. PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用[J]. 半导体学报,1992(06).
APA	曾天亮,陈平,江志庚,&李志彭.(1992).PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.半导体学报(06).
MLA	曾天亮,et al."PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用".半导体学报 .06(1992).