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| 一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法 专利
专利号: CN109841501A, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
作者: 方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗
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| 一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法 专利
专利号: CN109830581A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
作者: 方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗
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| 苝酰亚胺改性g-C3N4复合体系的构建及其光催化性能的研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 杨丽萍
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| 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN108923255A, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2018-11-30
作者: 张保平; 任伯聪; 陈衍晖; 应磊莹; 郑志威
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| InGaN/GaN多量子阱垂直结构太阳能电池研究 学位论文
2016, 2015
余健
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| GaN微波及功率器件在电子信息产业中的市场前景 无文献类型
作者: 梁瑶; 张孔欣; 何钧
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| 一种氮化碳/硫铟锌复合纳米材料及其制备方法和用途 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-04-22
作者: 时芬芬[1]; 姜德立[2]; 陈敏[3]; 李娣[4]; 邵乐强[5]
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| 一种硫化铟/氮化碳复合纳米材料的制备方法 专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-08-20
作者: 陈敏[1]; 姜德立[2]; 孟素慈[3]; 贺敏强[4]; 吴柱东[5]
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| 回音壁模微腔激光二极管的制备方法 专利
专利号: CN102545046B, 申请日期: 2013-05-01, 公开日期: 2013-05-01
作者: 徐春祥; 朱刚毅; 戴俊; 林毅; 石增良
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| 氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响 期刊论文
《半导体光电》, 2013, 页码: 59-61
作者: 高芳亮[1]; 管云芳[1]; 李国强[1]
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