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	氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
	高芳亮[1]; 管云芳[1]; 李国强[1]
刊名	《半导体光电》
	2013
页码	59-61
关键词	氮化铟 氮化 RF-MBE 单晶薄膜
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2221636
专题	华南理工大学
作者单位	[1]华南理工大学材料科学与工程学院,发光材料与器件国家重点实验室,广州510640
推荐引用方式 GB/T 7714	高芳亮[1],管云芳[1],李国强[1]. 氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响[J]. 《半导体光电》,2013:59-61.
APA	高芳亮[1],管云芳[1],&李国强[1].(2013).氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响.《半导体光电》,59-61.
MLA	高芳亮[1],et al."氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响".《半导体光电》 (2013):59-61.

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