| 一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法 | |
| 方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗 | |
| 2019-05-31 | |
| 著作权人 | 深圳第三代半导体研究院 |
| 专利号 | CN109830581A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法，包括：步骤1：采用非对称岛生长方法在衬底上生长半极性氮化镓薄膜模板；步骤2：在制备的半极性氮化镓薄膜模板上生长半极性铟镓氮二维超薄层结构。该方法可避免应力释放形成高密度穿透缺陷、铟团聚、相分离，增强有源区内载流子隧穿，增加电子与空穴空间交叠，并改变载流子密度分布，有效提高辐射复合效率，改善现有黄绿光LED发光效率较低的问题，增强探测器与太阳能电池光生载流子分离能力。 |
| 公开日期 | 2019-05-31 |
| 申请日期 | 2019-03-11 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92402]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳第三代半导体研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方志来,吴征远,田朋飞,等. 一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法. CN109830581A. 2019-05-31. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论