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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 关于电应力击穿SiO2的缺陷带模型研究 其他 2007-01-01 许铭真; 谭长华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12 二氧化硅薄膜 电学性能 击穿效应 模拟分析   超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 霍宗亮; 王金延; 毛凌锋; 王子欧; 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 应力感应漏电流  热载流子应力  超薄栅氧化层  MOS器件  SILC  hot carrier stress  ultra-thin gate oxide  MOSFET   MOSFET不同厚度薄栅老化中SILC的机制 期刊论文 半导体学报, 2001 王子欧; 卫建林; 毛凌锋; 许铭真; 谭长华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 应力感应漏电  栅氧化层   关态应力下P-MOSFETs的退化 期刊论文 半导体学报, 2001 杨存宇; 王子欧; 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 关态应力  栅感应漏电(GIDL)  界面陷阱  HCI