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	关于电应力击穿SiO2的缺陷带模型研究
	许铭真 ; 谭长华
	2007
关键词	二氧化硅薄膜 电学性能 击穿效应 模拟分析
英文摘要	采用Harrison变分法，研究了SiO2的缺陷能带结构和性质。当SiO2中形成缺陷能带时，引起应力感应漏电流(SILC)；当缺陷的间距更近时发生软击穿(SBD)；当缺陷的间距达到临界值时，发生不可逆转的硬击穿(HBD)。用一维缺陷原子链描述SiO2击穿通道，缺陷的势垒高度随着缺陷间距的减小而下降，SBD和HBD的特性差别源于击穿路径上的缺陷间距的差别。; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/282017]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	许铭真,谭长华. 关于电应力击穿SiO2的缺陷带模型研究. 2007-01-01.

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