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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉
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| 一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109698465A, 申请日期: 2019-04-30, 公开日期: 2019-04-30
作者: 任夫洋; 苏建; 陈康; 王金翠; 肖成峰
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| 垂直腔面发射激光器氧化台阶及激光器的制备方法 专利
专利号: CN109449755A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 刘嵩; 梁栋
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| 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利
专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
作者: 王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰
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| 一种硅深孔刻蚀方法 专利
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者: 赵超 ; 李俊杰; 孟令款; 李春龙; 洪培真
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| ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响 期刊论文
半导体光电, 2018, 卷号: 39, 页码: 216-220
作者: 李雅飞[1]; 李晓良[2]; 马英杰[3]; 陈洁珺[4]; 徐飞[5]
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| 深硅刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102800567A, 申请日期: 2014-09-03, 公开日期: 2014-11-27
作者: 张宝顺; 时文华
收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2014/11/27 |
| 纳米线制造方法 专利
专利号: CN201110159421.5, 申请日期: 2014-05-21, 公开日期: 2012-12-19
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 李俊峰
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| 降低线条粗糙度的混合光刻方法 专利
申请日期: 2012-09-21,
作者: 李俊峰; 孟令款; 李春龙; 贺晓彬; 闫江
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