纳米线制造方法

	纳米线制造方法
	钟汇才; 罗军; 赵超; 李俊峰
	2014-05-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110159421.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种纳米线制造方法，包括：在衬底上依次形成第一垫氧层、硅层、第二垫氧层、牺牲层和盖层的堆叠；刻蚀所述盖层和牺牲层以形成牺牲层开口，直至露出所述第二垫氧层；在所述牺牲层开口中以及所述牺牲层上形成第二盖层；各向异性刻蚀所述第二盖层以形成纳米侧墙图形；以及以所述纳米侧墙图形为掩模，各向异性刻蚀所述硅层以形成硅纳米线。依照本发明的纳米线制造方法，利用牺牲层将其侧壁的盖层图形转移到下方的结构上，也即采用了侧墙转移光刻技术，无需昂贵的光刻设备且与主流CMOS技术兼容因而大幅度降低了制造成本，此外能很好地控制硅纳米线的尺寸和均匀性，从而可以得到10nm以下小尺寸的硅纳米线。
公开日期	2012-12-19
申请日期	2011-06-14
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13362]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钟汇才,罗军,赵超,等. 纳米线制造方法. CN201110159421.5. 2014-05-21.