深硅刻蚀方法

	深硅刻蚀方法
	张宝顺; 时文华
	2014-09-03
专利国别	中国
专利号	102800567A
专利类型	发明
权利人	中国科学院
中文摘要	本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有不同宽度的沟槽，利用细线条沿所述沟槽的宽度方向对所述沟槽进行分割，并使得分割后所有沟槽的宽度相同；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述细线条形成的掩膜部分。通过本发明技术方案的应用，能有效减小深硅刻蚀中由于沟槽宽度尺寸较大的差异导致侧壁形貌变化，将侧壁陡直度偏差控制在1μm之内。
公开日期	2014-11-27
申请日期	2012-08-27
语种	中文
专利申请号	201210307648.4
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1592]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台
推荐引用方式 GB/T 7714	张宝顺,时文华. 深硅刻蚀方法. 102800567A. 2014-09-03.