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| 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者: 彭松昂 ; 金智; 王少青; 毛达诚; 史敬元
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| 半导体激光电源的水冷装置与半导体激光设备 专利
专利号: CN207265411U, 申请日期: 2018-04-20, 公开日期: 2018-04-20
作者: 朱宝华; 邓文; 陆业钊; 郑沅; 钟绪浪
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| SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2018, 卷号: 38, 页码: 70-74
作者: 许灵达[1]; 罗杰馨[2]; 陈静[3]; 何伟伟[4]; 吴伟[5]
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| 一种晶体管激光器及其制作方法 专利
专利号: CN104485578B, 申请日期: 2017-05-10, 公开日期: 2017-05-10
作者: 梁松; 朱洪亮
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| 半导体器件及其制作方法 专利
专利号: GB2484221, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2012-04-04
作者: 尹海洲; 朱慧珑; 骆志炯
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| MOS晶体管及其形成方法 专利
专利号: CN201010618284.2, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2012-07-04
作者: 钟汇才; 梁擎擎; 杨达; 赵超
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| 三维半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2014-06-23,
作者: 霍宗亮
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| 三维半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2014-04-24,
作者: 霍宗亮
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| 超薄体晶体管及其制作方法 专利
专利号: CN201010257023.2, 申请日期: 2013-06-26, 公开日期: 2012-03-14
作者: 钟汇才; 梁擎擎; 朱慧珑
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| 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2013/02/22
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