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	SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型
	许灵达[1]; 罗杰馨[2]; 陈静[3]; 何伟伟[4]; 吴伟[5]
刊名	固体电子学研究与进展
	2018
卷号	38页码:70-74
关键词	绝缘体上硅 侧壁晶体管 总剂量效应 电流模型
ISSN号	1000-3819
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2181116
专题	上海大学
作者单位	1.[1] 上海大学理学院 2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 3.信息功能材料国家重点实验室, 4., 上海 5.上海 200444 6.200050, 中国[2] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国[3] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国[4] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国[5] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	许灵达[1],罗杰馨[2],陈静[3],等. SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型[J]. 固体电子学研究与进展,2018,38:70-74.
APA	许灵达[1],罗杰馨[2],陈静[3],何伟伟[4],&吴伟[5].(2018).SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型.固体电子学研究与进展,38,70-74.
MLA	许灵达[1],et al."SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型".固体电子学研究与进展 38(2018):70-74.

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