MOS晶体管及其形成方法

	MOS晶体管及其形成方法
	钟汇才; 梁擎擎; 杨达; 赵超
	2014-10-01
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010618284.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅堆叠结构，所述栅堆叠结构包括依次位于所述半导体衬底上的栅介质层和栅电极；源区和漏区，位于所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中；牺牲金属侧墙，位于所述栅堆叠结构的侧壁，且具有张应力或压应力。本发明有利于降低等效氧化层厚度，增强器件一致性，提高载流子迁移率，增强器件性能。
公开日期	2012-07-04
申请日期	2010-12-31
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14535]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钟汇才,梁擎擎,杨达,等. MOS晶体管及其形成方法. CN201010618284.2. 2014-10-01.