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| 低温生长铝镓砷光折变效应的研究 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者: 钟梓源; 何凯 ; 苑云; 汪韬; 高贵龙
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| 砷化镓激光巴条 专利
专利号: CN207588214U, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2018-07-06
作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉
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| 砷化镓激光巴条及其制备方法 专利
专利号: CN107732650A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23
作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉
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| 双金属波导结构的太赫兹量子级联激光器制备方法及激光器 专利
专利号: CN107528214A, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
作者: 祁昶; 石新智; 叶双莉; 艾勇
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| 一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法 专利
专利号: CN105088181B, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28
作者: 王俊; 胡海洋; 贺云瑞; 邓灿; 王琦
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| 一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法 专利
专利号: CN106480498A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08
作者: 王俊; 胡海洋; 成卓; 樊宜冰; 马浩源
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| 一种全光固态超快光探测器的制备方法 专利
专利号: CN201710058864.2, 申请日期: 2017-01-23, 公开日期: 2017-07-07
作者: 曹伟伟; 王博; 徐鹏; 白永林; 白晓红
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| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
韩智明
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| 硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2014
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收藏 | 浏览/下载：300/0 | 提交时间：2016/11/06
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