一种全光固态超快光探测器的制备方法

	一种全光固态超快光探测器的制备方法
	曹伟伟; 王博; 徐鹏; 白永林; 白晓红; 朱炳利; 缑永胜; 秦君军; 刘白玉
	2017-01-23
专利号	CN201710058864.2
国家	中国
文献子类	发明
英文摘要	本发明属于超快诊断技术和半导体技术领域，具体涉及一种全光固态超快光探测器的制备方法，其特殊之处在于：包括以下步骤：1)在GaAs衬底上生长腐蚀停层，然后在腐蚀停层上低温生长2?5um的低温GaAs作为功能材料层，所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片；2)在外延片的功能材料层上蒸镀多层介质膜作为上DBR；3)在石英基片上旋涂紫外固化胶，然后将镀完上DBR的外延片倒扣在带胶的石英基片上；4)将GaAs衬底逐渐减薄，直至使GaAs衬底消失并露出腐蚀停层；5)在露出的腐蚀停层上镀多层介质膜作为下DBR。主要解决了全光固态超快光探测器制作难度高的问题。
公开日期	2017-07-07
语种	中文
状态	审查中-实审
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29727]
专题	条纹相机工程中心
作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	曹伟伟,王博,徐鹏,等. 一种全光固态超快光探测器的制备方法. CN201710058864.2. 2017-01-23.