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硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利
专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
作者:  李国强;  高芳亮;  余粤锋;  徐珍珠
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双金属波导结构的太赫兹量子级联激光器制备方法及激光器 专利
专利号: CN107528214A, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
作者:  祁昶;  石新智;  叶双莉;  艾勇
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基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107342535A, 申请日期: 2017-11-10, 公开日期: 2017-11-10
作者:  刘艳;  高曦;  韩根全;  郝跃;  张庆芳
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基于MnGa/Co2MnSi双层膜的垂直易磁化隧道结设计及制备 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
毛思玮
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一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利号: CN105742158A, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2016-07-06
作者:  王惠琼;  李东华;  周华;  康俊勇
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硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜Controllable Growth of High Quality ZnO Thin Film on c-sapphire 期刊论文
发光学报Chinese Journal of Luminescence, 2015
作者:  张权林;  苏龙兴;  吴天准;  王玉超;  祝渊
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2016/01/27
低温外延生长平整ZnO薄膜 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 5, 页码: 542-547
作者:  王双鹏
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掺杂碲镉汞的光致发光光谱研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  张小华
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拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中Fe原子掺杂的STM研究 会议论文
中国北京 2011中国材料研讨会
宋灿立; 蒋烨平; 王以林; 李志; 王立莉; 何珂; 陈曦; 马旭村; 薛其坤
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