在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜Controllable Growth of High Quality ZnO Thin Film on c-sapphire

	在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜Controllable Growth of High Quality ZnO Thin Film on c-sapphire
	张权林; 苏龙兴; 吴天准; 王玉超; 祝渊; 陈明明; 桂许春; 汤子康
刊名	发光学报Chinese Journal of Luminescence
	2015
英文摘要	利用MgO和低温ZnO的缓冲层技术，在c面蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）的方法生长了高质量的ZnO单晶薄膜。通过XRD测试，ZnO薄膜样品具有c轴方向的择优取向，其（002）方向摇摆曲线的半高宽（FWHM)仅为68.4aresec，（102）方向摇摆曲线的半高宽（FWHM）为1150aresec，显示了外延薄膜极高的晶体质量。另外从扫描电子显微测试结果和原子力显微测试结果来看，ZnO薄膜具有极为平整的表面，3µm*×3µm面积内的均方根粗糙度仅为0.842nm，接近原子级的平整。拉曼光谱（Raman）和荧光光谱（PL）测试结果显示，ZnO薄膜样品内部的应力基本释放，而且具有极低的点缺陷密度。高质量ZnO单晶薄膜的实现为ZnO基的光电器件的制备提供了坚实的基础。
收录类别	EI
原文出处	http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-FGXB201510017.htm
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.siat.ac.cn:8080/handle/172644/7118]
专题	深圳先进技术研究院_医工所
作者单位	发光学报Chinese Journal of Luminescence
推荐引用方式 GB/T 7714	张权林,苏龙兴,吴天准,等. 在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜Controllable Growth of High Quality ZnO Thin Film on c-sapphire[J]. 发光学报Chinese Journal of Luminescence,2015.
APA	张权林.,苏龙兴.,吴天准.,王玉超.,祝渊.,...&汤子康.(2015).在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜Controllable Growth of High Quality ZnO Thin Film on c-sapphire.发光学报Chinese Journal of Luminescence.
MLA	张权林,et al."在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜Controllable Growth of High Quality ZnO Thin Film on c-sapphire".发光学报Chinese Journal of Luminescence (2015).