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科研机构
沈阳自动化研究所 [9]
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期刊论文 [6]
学位论文 [2]
专利 [1]
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2012 [3]
2011 [2]
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单根铜纳米线在超高悬空微动电极上的微滴定介电泳装配研究
期刊论文
科学通报, 2014, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 623-629
作者:
田孝军
;
董再励
;
黄超雷
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2014/04/16
单根纳米线装配
微滴介电泳
超高拉伸电极
动态拉伸特性
原子链
面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102485641A, 申请日期: 2012-06-06,
作者:
田孝军
;
许可
;
董再励
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/10/15
单壁碳纳米管介电泳操控与纳电子器件装配
学位论文
沈阳: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2012
作者:
于海波
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/07/27
单壁碳纳米管
介电泳
耦合电势介电泳
碳纳米管场效应晶体管
面向SWCNT-FET制造的介电泳装配技术
期刊论文
东北大学学报(自然科学版), 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 107-116
作者:
吴成东
;
许可
;
田孝军
;
董再励
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2012/05/29
单壁碳纳米管
场效应晶体管
介电泳
COMSOL软件
原子力显微镜
纳电子器件
装配技术
微电极
电场强度分布
非均匀电场
基于介电泳机理的金纳米颗粒传感器装配方法
期刊论文
微纳电子技术, 2011, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 809-815
作者:
杨洋
;
周磊
;
董再励
;
曲艳丽
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/05/29
介电泳(DEP)
光刻技术
金纳米颗粒
纳米传感器
纳米器件的组装与装配
基于SWCNT制造的SWCNT-FET介电泳装配研究
期刊论文
仪器仪表学报, 2010, 卷号: 31, 期号: S2, 页码: 88-91
作者:
田孝军
;
董再励
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/05/29
SWCNT
装配
SWCNT-FET
介电泳
AFM
SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造
期刊论文
科学通报, 2009, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 662-667
作者:
童兆宏
;
田孝军
;
王越超
;
于海波
;
董再励
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/29
单壁碳纳米管
场效应晶体管
介电泳装配
场效应特性改善
SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造
期刊论文
科学通报, 2009, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 662-667
作者:
田孝军
;
王越超
;
于海波
;
董再励
;
童兆宏
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/11/29
单壁碳纳米管
场效应晶体管
介电泳装配
场效应特性改善
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