SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造

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	SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造
	童兆宏; 田孝军; 王越超; 于海波; 董再励; 席宁
刊名	科学通报
	2009
卷号	54 期号:5 页码:662-667
关键词	单壁碳纳米管场效应晶体管介电泳装配场效应特性改善
ISSN号	0023-074X
其他题名	Di-electrophoresis assembly and fabrication of SWCNT field-effect transistor
产权排序	1
英文摘要	在基于单壁碳纳米管(SWCNT)的纳电子器件或系统制备过程中,SWCNT场效应晶体管(SWCNTFET)作为最基本的构成元件,如何进行其可控装配与制造成为了关键课题.为此,在利用十二烷基硫酸纳(SDS)辅助超声分散SWCNT及离心去除杂质的基础上,针对所设计制作的背栅式FET微电极芯片,采用介电泳驱动方法实现了SWCNT的可控均匀排布与装配.排布与装配实验表明,SWCNT在电极间隙处具有很好的均匀定向排布与装配效果,且沿电极宽度方向的排布密度与电泳持续时间、溶液浓度基本成正比.经过初步漂洗及干燥,再通过场效应特性改善处理,烧断金属性SWCNT并进一步去除残留的SDS,获得了良好的SWCNTFET场效应特性.
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:3603883
资助机构	国家高技术研究发展计划(编号:2006AA04Z320);;中国科学院王宽诚科研奖金资助项目
公开日期	2010-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://210.72.131.170//handle/173321/2385]
专题	沈阳自动化研究所_机器人学研究室
通讯作者	田孝军
作者单位	机器人学国家重点实验室,中国科学院沈阳自动化研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	童兆宏,田孝军,王越超,等. SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造[J]. 科学通报,2009,54(5):662-667.
APA	童兆宏,田孝军,王越超,于海波,董再励,&席宁.(2009).SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造.科学通报,54(5),662-667.
MLA	童兆宏,et al."SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造".科学通报 54.5(2009):662-667.