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	Predictive 3-D Modeling of Parasitic Gate Capacitance in Gate-all-Around Cylindrical Silicon Nanowire MOSFETs 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2011 Zou, Jibin; Xu, Qiumin; Luo, Jieying; Wang, Runsheng; Huang, Ru; Wang, Yangyuan 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/10 Modeling parasitic gate capacitance Schwarz-Christoffel mapping silicon nanowire MOSFETs (SNWTs) source/drain extension (SDE) SOURCE/DRAIN UNDERLAP FRINGE CAPACITANCE CARRIER TRANSPORT CMOS DEVICES PERFORMANCE OPTIMIZATION TRANSISTORS TECHNOLOGY INTEGRATION RESISTANCE
	Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology 期刊论文 science in china series f information sciences, 2009 Huang Ru; Wu HanMing; Kang JinFeng; Xiao DeYuan; Shi XueLong; An Xia; Tian Yu; Wang RunSheng; Zhang LiangLiang; Zhang Xing; Wang YangYuan 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2015/11/12 CMOS technology 22 nm technology node device architectures metal gate/high K dielectrics ultra low K dielectrics SILICON NANOWIRE TRANSISTORS CARRIER-TRANSPORT CHANNEL FINFETS DRAIN STRESSORS CARBON SOURCE/DRAIN GATE STACK METAL-GATE HIGH-K RELIABILITY CHARACTERISTICS PERFORMANCE ENHANCEMENT
	Investigation of parasitic effects and design optimization in silicon nanowire MOSFETs for RF applications 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2008 Zhuge, Jing; Wang, Runsheng; Huang, Ru; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2015/11/10 contact resistance parasitic capacitance RF silicon nanowire MOSFETs (SNWTs) source/drain extension (SDE) regions GATE-SOURCE/DRAIN UNDERLAP FRINGE CAPACITANCE CMOS DEVICES PERFORMANCE TRANSISTORS SIMULATION RESISTANCE FINFETS IMPACT PERSPECTIVE
	Fabrication and characteristics of high-K HfO2 gate dielectrics on n- germanium 期刊论文中国物理英文版, 2007 Han De-Dong; Kang Jin-Feng; Liu Xiao-Yan; Sun Lei; Luo Hao; Han Ru-Qi 收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2015/11/13 germanium high-K HfO2 SCHOTTKY SOURCE/DRAIN BARRIER MOSFETS SILICON FILMS ELECTRODE SI
	Studies of Ti- and Ni-germanide Schottky contacts on n-Ge(100) substrates 期刊论文微电子工程, 2005 Han, DD; Wang, Y; Tian, DY; Wang, W; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/10 Ni-germanide Schottky contacts Ge HIGH-KAPPA GATE METAL-GATE BARRIER SOURCE/DRAIN TRANSISTORS MOSFETS SILICON S/D
	Fabrication and characteristics of Ni-germanide Schottky contacts with Ge 期刊论文中国物理英文版, 2005 Han, DD; Liu, XY; Kang, JF; Xia, ZL; Du, G; Han, RQ 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2015/11/13 nickel germanide Schottky contact GATE DIELECTRICS SOURCE/DRAIN BARRIER TRANSISTORS MOSFETS SILICON
	Self-align recessed source drain ultrathin body SOI MOSFET 期刊论文 ieee electron device letters, 2004 Zhang, ZK; Zhang, SD; Chan, M 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2015/11/12 parasitic miller capacitance recessed source/drain (ReS/D) scaling series resistance silicon-on-insulator (SOI) ultrathin body (UTB)
	Fabrication and characteristics of Ti- and Ni-germanide Schottky contacts on n-Ge(100) substrates 其他 2004-01-01 Han, DD; Wang, X; Wang, Y; Tian, DY; Wang, W; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/13 SOURCE/DRAIN BARRIER TRANSISTORS MOSFETS SILICON

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