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期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2018 [6]
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共6条,第1-6条
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发表日期:2018
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10
15
20
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30
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40
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50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
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发表日期升序
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A New Principle of HVDC Protection Based on Two-terminal Electrical Quantities
会议论文
作者:
Zhang, Xinyue
;
Kang, Xiaoning
;
Zhang, Yagang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/19
DC voltage variation
Electrical quantities
External fault
High reliability
Short-circuit fault
Transition resistance
Two terminals
Voltage variation
A Double-Node-Upset Self-Recoverable Latch Design for High Performance and Low Power Application
期刊论文
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2018, 页码: 1
作者:
Jie Cui
;
Xiangsheng Fang
;
Jiliang Zhang
;
Maoxiang Yi
;
Zhengfeng Huang
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/04/22
Latches
Radiation
hardening
Clocks
Feedback
loop
Power
dissipation
Reliability
Electronic
mail
Circuit
reliability
radiation
hardening
soft
error
double-node
upset
single
node
upset.
Fault-Tolerant Control Strategies for T-Type Three-Level Inverters Considering Neutral-Point Voltage Oscillations
期刊论文
IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2018
作者:
Chen J.
;
Zhang C.
;
Chen A.
;
Xing X.
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  |  
浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
Fault tolerance
Fault tolerant systems
Fault-tolerant control
Inverters
neutral-point voltage oscillations
open-circuit fault
Oscillators
reliability
Switches
T-type three-level inverters
Voltage control
Reliability analysis of a mini-instrument for simultaneous monitoring water content, deep tissue temperature, and hemodynamic parameters
期刊论文
2018, 卷号: 86, 页码: 72-76
作者:
Li, Ting
;
Li, Zebin
;
Zhao, Ke
;
Pan, Boan
;
Wang, Zhiyuan
收藏
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2020/01/03
Circuit
Reliability
Performance test
Noninvasive medical device
Addressing the Thermal Issues of STT-MRAM From Compact Modeling to Design Techniques
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 17, 页码: 345-352
作者:
Zhang, Liuyang
;
Cheng, Yuanqing
;
Kang, Wang
;
Torres, Lionel
;
Zhang, Youguang
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/30
Magnetic tunnel junction (MTJ)
read reliability
sensing circuit
STT-MRAM
thermal fluctuations
A Full-Sensing-Margin Dual-Reference Sensing Scheme for Deeply-Scaled STT-RAM
期刊论文
IEEE ACCESS, 2018, 卷号: 6, 页码: 64250-64260
作者:
Zhang, He
;
Kang, Wang
;
Zhang, Youguang
;
Chang, Meng-Fan
;
Zhao, Weisheng
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Read reliability
read disturbance
sensing circuit
sensing margin
STT-RAM
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