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| 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静
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| 碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法 专利
专利号: 200810204569.4, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 专利
专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣
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| 耐真空及高压有保护气体的可移动密封装置 专利
专利号: 200810204565.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法 专利
专利号: 200810204564.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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| 非接触式晶片厚度测量装置及方法 专利
专利号: 200910199928.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1 陈晓静 2 魏彦锋 3 张传杰 4 徐庆庆 5 孙瑞赟
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| 激活退火对As掺杂型HgCd Te材料的影响 期刊论文
激光与红外, 2010, 卷号: 40, 期号: 5
作者: 李艳鹏; 张传杰; 徐庆庆; 魏彦锋; 杨建荣
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| 碲镉汞富碲垂直液相外延技术 期刊论文
红外与毫米波学报, 2009, 期号: 5
作者: 杨建荣; 张传杰; 方维政; 魏彦锋; 刘从峰
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2011/07/08 |
| HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制 期刊论文
红外与毫米波学报, 2009, 期号: 4
作者: 魏彦锋; 徐庆庆; 陈晓静; 张传杰; 孙士文
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2011/07/08 |
| 碲镉汞富汞热处理技术的研究 期刊论文
激光与红外, 2006, 卷号: 36, 期号: 11
作者: 张传杰; 杨建荣; 吴 俊; 魏彦峰; 何 力
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