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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al 0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 00218979 Luan, Chongbiao; Lin, Zhaojun; Feng, Zhihong; Meng, Lingguo; Lv, Yuanjie; Cao, Zhifang; Yu, Yingxia; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/07 Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 434 Lv YJ (Lv, Yuanjie); Lin ZJ (Lin, Zhaojun); Meng LG (Meng, Lingguo); Luan CB (Luan, Chongbiao); Cao ZF (Cao, Zhifang); Yu YX (Yu, Yingxia); Feng ZH (Feng, Zhihong); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/02 Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 054513 Luan CB (Luan, Chongbiao); Lin ZJ (Lin, Zhaojun); Feng ZH (Feng, Zhihong); Meng LG (Meng, Lingguo); Lv YJ (Lv, Yuanjie); Cao ZF (Cao, Zhifang); Yu YX (Yu, Yingxia); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/02 Etching Behavior of GaN/GaAs(001) Epilayers Grown by MOVPE 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 707-712 Shen Xiaoming; Feng Zhihong; Feng Gan; Fu Yi; Zhang Baoshun; Sun Yuanping; Zhang Zehong; Yang Hui 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth of Cubic GaN by MOCVD at High Temperature 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 120-123 Fu Yi; Sun Yuanping; Shen Xiaoming; Li Shunfeng; Feng Zhihong; Duan Lihong; Wang Hai; Yang Hui 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23