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Distribution of dislocations in gasb and insb epilayers grown on gaas (001) vicinal substrates 期刊论文
Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: 4
作者:  Li, Meicheng;  Qiu, Yongxin;  Liu, Guojun;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者:  王玉田;  江德生;  赵德刚;  朱建军;  张书明
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23
Defect Cluster-Induced X-Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245
作者:  Zhao Degang;  Wang Yutian;  Jiang Desheng;  Duan Ruifei;  Ma Zhifang
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23
MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245
马志芳, 王玉田, 江德生, 赵德刚, 张书明, 朱建军, 刘宗顺, 孙宝娟, 段瑞飞, 杨辉, 梁骏吾
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/05/16
Investigation of gasb epilayer grown on vicinal gaas(001) substrate by high resolution x-ray diffraction 期刊论文
Physica scripta, 2007, 卷号: T129, 页码: 27-30
作者:  Qiu, Yongxin;  Li, Meicheng;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun;  Wang, Yong
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650
作者:  Wang Yutian
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23
缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑， 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者:  王玉田;  张书明;  朱建军
收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2010/11/23
In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23
双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 824-830
作者:  王玉田;  于芳;  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 期刊论文
中国科学. G辑，物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 122-125
作者:  朱建军;  赵德刚;  王玉田
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