In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

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	In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响
	王玉田
刊名	物理学报
	2004
卷号	53 期号:8 页码:2467-2471
中文摘要	利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	香港研究资助局联合基金,国家自然科学基金,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17263]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田. In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响[J]. 物理学报,2004,53(8):2467-2471.
APA	王玉田.(2004).In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响.物理学报,53(8),2467-2471.
MLA	王玉田."In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响".物理学报 53.8(2004):2467-2471.