GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 | |
朱建军; 赵德刚; 王玉田 | |
刊名 | 中国科学. G辑,物理 |
2003 | |
卷号 | 33期号:2页码:122-125 |
中文摘要 | 提出了一种利用x射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法.该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t<2μm为线性关系.该方法消除了因GaN吸收造成的影响,比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高,更方便可靠. |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:698251 7),国家杰出青年基金(批准号:5 1161953),NSFC-RGC联合基金(批准号:N_HUK 28/ )资助项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17737] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱建军,赵德刚,王玉田. GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量[J]. 中国科学. G辑,物理,2003,33(2):122-125. |
APA | 朱建军,赵德刚,&王玉田.(2003).GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量.中国科学. G辑,物理,33(2),122-125. |
MLA | 朱建军,et al."GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量".中国科学. G辑,物理 33.2(2003):122-125. |
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