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电子束诱导单壁碳纳米管不稳定性的新观察 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 3, 页码: 036401-1-036401-6
李论雄,苏江滨,吴燕,朱贤方,王占国

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InP基近红外波段量子线激光器的温度特性研究 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 21, 页码: 216802-1-216802-4
杨新荣,徐波,赵国晴,申晓志,史淑惠,李洁,王占国

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量子级联红外探测器 期刊论文
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1397-1402
作者: 李路; 刘俊岐; 翟慎强

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集成肋片式红外半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12, 2010-10-15
刘俊岐; 刘峰奇; 李路; 王利军; 王占国

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聚焦电子束诱导碳沉积实现纳米线表面可控修饰 期刊论文
科学通报, 2010, 卷号: 55, 期号: 13, 页码: 1288-1293
苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王占国

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聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长 期刊论文
科学通报, 2010, 卷号: 55, 期号: 16, 页码: 1632-1637
苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王连洲; 王占国

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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者: 刘斌; 陈涌海

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一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者: 李成明

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