| 集成肋片式红外半导体激光器结构 | |
| 刘俊岐 ; 刘峰奇 ; 李 路 ; 王利军 ; 王占国 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括:一脊形区;一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置;两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧;上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面;该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。 |
| 英文摘要 | 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括:一脊形区;一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置;两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧;上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面;该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3570.pdf: 366188 bytes, checksum: 63287c3c60ccb9247a263d889694c7d1 (MD5) |
| 公开日期 | 2010-01-20 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-07-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810116832.4 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13408]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘俊岐,刘峰奇,李 路,等. 集成肋片式红外半导体激光器结构. 2010-08-12. |
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