一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 | |
李成明 | |
2008-07-02 | |
专利类型 | 发明 |
英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200610169749.pdf: 1081215 bytes, checksum: 4aa99d5f1d4e9eb4a030aadeda806d78 (MD5) Previous issue date: |
公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 2006-12-28 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200610169749 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4095] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李成明. 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料. 2008-07-02. |
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