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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of AlN thin film prepared by reactive sputtering 期刊论文 2016, 卷号: 48, 页码: 1029-1032 作者:  Zang, Yuan;  Li, Lianbi;  Ren, Zhanqiang;  Cao, Ling;  Zhang, Yan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20 AlN  reactive sputtering  refractive index  optical band gap   用反应溅射法制备AlN薄膜及其特性表征 学位论文 : 西安理工大学, 2012 作者:  任占强 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 反应磁控溅射  A1N薄膜  择优生长  光学带隙  透射谱  晶粒取向   The epitaxial growth of (1 1 1) oriented monocrystalline Si film based on a 4:5 Si-to-SiC atomic lattice matching interface 期刊论文 2012, 卷号: 47, 页码: 1331-1334 作者:  Yang, Chen;  Chen, Zhiming;  Hu, Jichao;  Ren, Zhanqiang;  Lin, Shenghuang 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 Semiconductors  Interfaces  Epitaxial growth  Electron microscopy  Crystal structure