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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Systematic Review and Meta-Analysis of Drug-Eluting Balloon and Stent for Infrapopliteal Artery Revascularization 期刊论文 VASCULAR AND ENDOVASCULAR SURGERY, 2017, 卷号: 51, 页码: 72-83 作者:  Zhang, Jianbin[1,2];  Xu, Xiaojie[2];  Kong, Jie[1,2];  Xu, Rongwei[1,2];  Fan, Xueqiang[1] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/24 drug-eluting balloon  drug-eluting stent  infrapopliteal artery   Improved efficiency of GaN-based green LED by a nano-micro complex patterned sapphire substrate (EI收录) 期刊论文 IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 卷号: 29, 页码: 983-986 作者:  Zhou, Quanbin[1];  Xu, Mingsheng[1];  Li, Qixin[1];  Wang, Hong[1] 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/24 Efficiency  Extraction  Gallium nitride  Inductively coupled plasma  Sapphire   Improved efficiency of near-ultraviolet LEDs using a novel p-type AlGaN hole injection layer (EI收录) 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2016, 卷号: 94, 页码: 25-29 作者:  Xu, Mingsheng[1];  Zhou, Quanbin[1];  Zhang, Heng[2];  Wang, Hong[1];  Zhang, Xichun[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Charge injection  Efficiency  Electron injection  Optical properties  Quantum efficiency  Ultraviolet radiation   Reduction of leakage current in GaN-based high-electron mobility transistor employing carbon-doped GaN superlattice buffer layers (EI收录) 会议 Beijing, China, 作者:  Xu, Mingsheng[1];  Weng, Yuanhang[1];  Wang, Hong[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/11 Buffer layers  Electron mobility  Electronic properties  Energy gap  Gallium alloys  Gallium nitride  Leakage currents  Optical waveguides  Transistors  Wide band gap semiconductors   Reduction of Leakage Current in GaN-based High-electron Mobility Transistor Employing Carbon-doped GaN Superlattice Buffer Layers (CPCI-S收录) 会议 作者:  Xu, Mingsheng[1];  Weng, Yuanhang[1];  Wang, Hong[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/11