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	Reduction of Leakage Current in GaN-based High-electron Mobility Transistor Employing Carbon-doped GaN Superlattice Buffer Layers (CPCI-S收录)
	Xu, Mingsheng[1]; Weng, Yuanhang[1]; Wang, Hong[1]
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内容类型	会议
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2038540
专题	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu, Mingsheng[1],Weng, Yuanhang[1],Wang, Hong[1].Reduction of Leakage Current in GaN-based High-electron Mobility Transistor Employing Carbon-doped GaN Superlattice Buffer Layers (CPCI-S收录).

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