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| HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26 于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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| 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101488475, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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| 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101350298, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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| 湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度 期刊论文 半导体技术, 2009, 期号: 12 曹明霞; 于广辉; 王新中; 林朝通; 卢海峰; 巩航
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| HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101320686, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2008-12-10 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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| 厚膜氮化镓材料的HVPE生长 会议论文 第11届全国发光学学术会议论文摘要集, 2007 于广辉; 林朝通; 王新中; 曹明霞; 雷本亮; 齐鸣; 李爱珍
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:94/0  |  提交时间:2012/01/18 |
| 氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究 会议论文 中国光学学会2006年学术大会论文摘要集, 2006 于广辉; 王笑龙; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 齐鸣; 李爱珍
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