湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度

	湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度
	曹明霞 ; 于广辉 ; 王新中 ; 林朝通 ; 卢海峰 ; 巩航
刊名	半导体技术
	2009
期号	12
关键词	视觉修复视网膜假体神经刺激柔性微电极微细加工
ISSN号	1003-353X
中文摘要	研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52276]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	曹明霞,于广辉,王新中,等. 湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度[J]. 半导体技术,2009(12).
APA	曹明霞,于广辉,王新中,林朝通,卢海峰,&巩航.(2009).湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度.半导体技术(12).
MLA	曹明霞,et al."湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度".半导体技术 .12(2009).