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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Estimation of Border Trap Distribution in Electron Irradiated SiC MOS Capacitor Using High Temperature 1M Hz C-V Method 会议论文 作者:  Tang YD(汤益丹);  Peng CY(彭朝阳);  Wang SK(王盛凯);  Hao JL(郝继龙);  Liu XY(刘新宇) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/14 High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System 期刊论文 J. Appl. Phys., 2018 作者:  KeAn Liu;  Peng CY(彭朝阳);  Wang SK(王盛凯);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/19