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	Estimation of Border Trap Distribution in Electron Irradiated SiC MOS Capacitor Using High Temperature 1M Hz C-V Method
	Tang YD(汤益丹); Peng CY(彭朝阳); Wang SK(王盛凯); Hao JL(郝继龙); Liu XY(刘新宇); Bai Y(白云)
	2018-09-12
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19134]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Tang YD,Peng CY,Wang SK,et al. Estimation of Border Trap Distribution in Electron Irradiated SiC MOS Capacitor Using High Temperature 1M Hz C-V Method[C]. 见:.

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