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| 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法 专利 专利号: CN101540287, 申请日期: 2009-04-23, 公开日期: 2009-09-23 作者: 付晓君; 徐静波; 张海英 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法 专利 专利号: CN101814435A, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2010-08-25, 2010-11-26 作者: 付晓君; 张海英; 徐静波; 黎明 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法 专利 专利号: CN101431028, 申请日期: 2008-11-25, 公开日期: 2009-05-13, 2010-11-26 作者: 徐静波; 付晓君; 黎明; 张海英 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法 专利 专利号: CN101728272A, 申请日期: 2008-10-24, 公开日期: 2010-06-09, 2010-11-26 作者: 黎明; 徐静波; 张海英; 付晓君 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种制作顶栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法 专利 专利号: CN101728271A, 申请日期: 2008-10-24, 公开日期: 2010-06-09, 2010-11-26 作者: 张海英; 付晓君; 黎明; 徐静波 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法 专利 专利号: CN101383291, 申请日期: 2008-09-26, 公开日期: 2009-03-11, 2010-11-26 作者: 张海英; 黎明; 付晓君; 徐静波 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法 专利 专利号: CN101615708, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-12-30, 2010-11-26 作者: 付晓君; 徐静波; 黎明; 张海英 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法 专利 专利号: CN101615580, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-12-30, 2010-11-26 作者: 黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法1 专利 专利号: CN101552203, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-10-07, 2010-11-26 作者: 付晓君; 张海英; 徐静波; 黎明 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 专利 专利号: CN101552236, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-10-07 作者: 黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2010/11/26 |