| 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法 | |
| 张海英; 黎明; 付晓君; 徐静波 | |
| 2008-09-26 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN101383291 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件技术领域，具体涉及一种背栅ZnO纳米线场 效应管的制备方法。本发明采用ZnO纳米线作为场效应晶体管沟道，采用凹槽 和十字两种方法实现纳米线到器件衬底的沉积和定位，采用Ti/Au与ZnO沟道形 成欧姆接触，常规Liff-off的方法溅射形成Al2O3栅氧，利用P++型Si衬底作为场效 应管背栅。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点， 容易在微波、毫米波化合物半导体器件及传感器的制作中采用和推广。 |
| 公开日期 | 2009-03-11 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7918]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海英,黎明,付晓君,等. 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法. CN101383291. 2008-09-26. |
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